失效的芯片各有各的原因，按功能总结成几大类:

首先一类是功能类失效:如功能覆盖不全，覆盖率不够，流片测试，预期的功能达不到。做兼容类芯片，与兼容芯片的工能存在差异。

第二类失效归结为时序类:时序约束覆盖不全，导致部分功能逻辑的setup或者hold时序不收敛。

第三类:异步时序逻辑芯片失效，异步时序的先后时序路径到达不一致，导致辑功能不正确，容易受电压控制信号跳变形成的电源地的噪声影响，形成逻辑功能失效。

第四类:芯片性能不达标，如芯片需要满足TTL电平识别，由于IO的输入输出的识别或者驱动阈值电压不够导致输入TTL无法识别，或者输出IO同时翻转的信号PAD数量多，

电流变化率快，地弹电调过大，影响逻辑电平的识别。

第五类:ESD可靠性时序，芯片接触带静电的人体会发生放点，由于芯片内部ESD电路保护结构不完善，导致IO管子或者内部管子的棚氧击穿源漏击穿，导致芯片功能失效

或者漏电流增大。

第六类:应力导致芯片失效，芯片受外部应力的影响，导致芯片内部有源区出现开裂，金属线存在开裂，导致功能失效，或者漏电流增加等现象。

第七类:寿命问题，芯片使用一段时间后，出现功能异常，漏电流变大，金属线EM严重超标，导致金属线电迁移出现金属线的开路和短路情况。

第八类:沟通不善导致的数据出现的短路开路等问题，如工艺厂没加SESRLING，导致TEST KEY与IO PAD 短路，前后端沟通不善，出现用错版本等现象。

第九类:封装 绑定导致，芯片虚假焊接，信号开路，绑定线过密出现，出现绑定线短路，导致芯片功能异常。